A Mitsubishi Electric Corporation anunciou que está dobrando o investimento previsto no plano quinquenal que se encerra em março de 2026, chegando ao valor de 260 bilhões de ienes. A maior parte desse investimento será direcionada para a construção de uma nova fábrica, visando aumentar a produção de semicondutores de potência de carboneto de silício (SiC).
Com a nova planta, a Mitsubishi Electric pretende atender à crescente demanda por semicondutores de potência SiC para uso em veículos elétricos, além de expandir para mercados com novas aplicações que demandam, por exemplo, alta eficiência energética, operação em alta temperatura ou comutação em alta velocidade.
A nova instalação também permitirá que a Mitsubishi Electric contribua para a tendência global de adotar processos produtivos sustentáveis, com maior eficiência energética e descarbonização.
Produção aprimorada
Grande parte do aumento do investimento, cerca de 100 bilhões de ienes, será direcionado para a construção da nova fábrica de wafer SiC de 8 polegadas e aprimorar as instalações de produção.
A nova fábrica, que irá incorporar uma instalação já existente na área de Shisui, na província de Kumamoto, produzirá wafers SiC de 8 polegadas, contando com uma sala limpa com eficiência energética de ponta e produção automatizada de alto nível. Além disso, a empresa aprimorará suas instalações de produção de wafers SiC de 6 polegadas para atender à crescente demanda neste setor.
A nova fábrica deverá entrar em funcionamento em abril de 2026, e contará com tecnologias de última geração para economia de energia, utilizando equipamentos de última geração no seu sistema de ar condicionado e, também, sistemas de reaproveitamento de calor, entre outros. Além disso, a instalação contará com medidas de isolamento sísmico em todos os andares, garantindo a continuidade do negócio.
Operações integradas
A Mitsubishi Electric também investirá aproximadamente 10 bilhões de ienes em uma nova fábrica que consolidará as operações para montagem e inspeção de semicondutores de potência já existentes e atualmente dispersas por toda a área de Fukuoka.
A integração do design, desenvolvimento e verificação da tecnologia de produção aumentará consideravelmente as capacidades de desenvolvimento da empresa e facilitará o aumento de produção para atender a demanda do mercado em tempo hábil. Os 20 bilhões de ienes restantes da parcela dos novos investimentos, serão direcionados para melhorias de equipamentos, redução no impacto ambiental e operações correlatas.
Ao longo dos anos, como líder no mercado de módulos de potência SiC em segmentos como eletrodomésticos, equipamentos industriais e metroviários, incluindo os primeiros* módulos de potência SiC do mundo para ar condicionados e trens de alta velocidade, a Mitsubishi Electric acumulou ampla expertise em tecnologias de alto desempenho e alta confiabilidade para triagem e muitos outros aspectos da produção de semicondutores de potência SiC.
* Para os módulos de potência SiC para ar condicionados, de acordo com pesquisa da Mitsubishi Electric de 24 de agosto de 2010, e para os módulos de potência SiC para trens de alta velocidade, conforme pesquisa da empresa de 26 de março de 2013.
Foto: Divulgação Mitsubishi
